MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0.055 Ω 650 V, 45 A Miglioramento, H2PAK-7, Superficie, 7 Pin SCTH35N65G2V-7

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Codice RS:
201-0890
Codice costruttore:
SCTH35N65G2V-7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

H2PAK-7

Serie

SCTH35

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.055Ω

Modalità canale

Miglioramento

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio da 650 V STMicroelectronics ha una corrente nominale di 45 A e Resistenza da drenaggio a sorgente 55 m Ohm. Ha una bassa resistenza all'accensione per area unitaria e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Diodo intrinseco molto veloce e robusto

Bassa capacitanza

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