MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0.105 Ω 1.2 kV, 100 A Depletion, H2PAK, Superficie, 7 Pin SCTW100N65G2AG

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Codice RS:
202-5485
Codice costruttore:
SCTW100N65G2AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Serie

SCT

Tipo di package

H2PAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.105Ω

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

162nC

Tensione diretta Vf

2.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Dissipazione di potenza massima Pd

420W

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Larghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.75mm

Altezza

34.95mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio di qualità automobilistica STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SiC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Bassa capacitanza

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