MOSFET onsemi, canale Tipo P 20 V, 10 Ω Depletion, 127 mA, 3 Pin, XDFN, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 8000 unità*

1040,00 €

(IVA esclusa)

1280,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
Unità
Per unità
Per bobina*
8000 +0,13 €1.040,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
202-5715
Codice costruttore:
NTNS2K1P021ZTCG
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

127mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

NTN

Tipo di package

XDFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10Ω

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

125mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-20V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

0.43 mm

Lunghezza

0.21mm

Altezza

0.72mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N singolo on Semiconductor è in funzione con -127 milliampere e -20 Volt. Può essere utilizzato in interruttori di distribuzione di carico a piccolo segnale, interfaccia ad alta velocità, applicazioni di commutazione di livello.

Senza piombo

Conformità RoHS

Senza alogeni

Contenitore a profilo basso di dimensioni estremamente ridotte

Link consigliati