MOSFET onsemi, canale Tipo P 20 V, 10 Ω Depletion, 127 mA, 3 Pin, XDFN, Superficie NTNS2K1P021ZTCG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5716
Codice costruttore:
NTNS2K1P021ZTCG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

127mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

XDFN

Serie

NTN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10Ω

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

125mW

Tensione diretta Vf

-20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.72mm

Lunghezza

0.21mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

0.43 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N singolo on Semiconductor è in funzione con -127 milliampere e -20 Volt. Può essere utilizzato in interruttori di distribuzione di carico a piccolo segnale, interfaccia ad alta velocità, applicazioni di commutazione di livello.

Senza piombo

Conformità RoHS

Senza alogeni

Contenitore a profilo basso di dimensioni estremamente ridotte

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