MOSFET onsemi, canale N, 13,2 mΩ, 35 A, PQFN 5 x 6, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
205-2427
Codice costruttore:
NTMFS011N15MC
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

35 A

Tensione massima drain source

150 V

Tipo di package

PQFN 5 x 6

Serie

PowerTrench

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

13,2 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Il MOSFET MV a canale N serie Power Trench 150V DI ON Semiconductor è prodotto utilizzando un processo Advanced che incorpora la tecnologia gate schermata. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

Max RDS(ON) = 11,5 MOhm a VGS è 10V, ID è 35A
Bassa perdita di conduzione
Max RDS(ON) 13,2 MOhm a VGS è 8V, ID 18A
Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di mosfet
Riduce il rumore di commutazione/EMI
Struttura robusta del contenitore MSL1
Testato al 100% con UIL

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