MOSFET onsemi, canale N 100 V, 7.6 mΩ N, 110 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
229-6472
Codice costruttore:
NTMFS7D8N10GTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

NTMFS

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.6mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

840mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

92nC

Dissipazione di potenza massima Pd

187W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Altezza

6mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N on Semiconductor è prodotto utilizzando Advanced Power Trench Process che incorpora la tecnologia gate schermata. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

Riduce al minimo le perdite di conduzione

Elevata capacità di corrente Peak UIS per una maggiore robustezza

Senza alogeni

Senza piombo

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