MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 7.6 mΩ N, 110 A, 8 Pin, PQFN, Superficie NTMFS7D8N10GTWG

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Codice RS:
229-6473
Codice costruttore:
NTMFS7D8N10GTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

NTMFS

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.6mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

92nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

187W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.84V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

6mm

Larghezza

1.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N on Semiconductor è prodotto utilizzando Advanced Power Trench Process che incorpora la tecnologia gate schermata. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

Riduce al minimo le perdite di conduzione

Elevata capacità di corrente Peak UIS per una maggiore robustezza

Senza alogeni

Senza piombo

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