MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 4.4 mΩ Miglioramento, 187 A, 8 Pin, Mo-222A, Superficie NTBLS4D0N15MC
- Codice RS:
- 205-2452
- Codice costruttore:
- NTBLS4D0N15MC
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 205-2452
- Codice costruttore:
- NTBLS4D0N15MC
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 187A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Serie | NBTLS | |
| Tipo di package | Mo-222A | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 316W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 90.4nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 9.2 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 11.58mm | |
| Altezza | 2.2mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 187A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Serie NBTLS | ||
Tipo di package Mo-222A | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 316W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 90.4nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 9.2 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 11.58mm | ||
Altezza 2.2mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a canale N singolo ON Semiconductor è dotato di tensione nominale drain-source di 150V e corrente nominale di drain continua di 187A. Questi dispositivi sono senza piombo, alogeni o BFR e sono conformi alla direttiva RoHS.
La resistenza da drain a source ON è 4,4 MOhm
Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione
QG e capacità ridotti per ridurre al minimo le perdite di driver
Basso rumore di commutazione/livello di EMI
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