MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 4 mΩ Miglioramento, 95 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

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Codice RS:
210-4954
Codice costruttore:
SiDR170DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

95A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiDR170DP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

93nC

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.9mm

Altezza

0.51mm

Larghezza

4.9 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 100 V (D-S) è dotato di contenitore tipo PowerPAK SO-8DC.

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