MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 266 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SQJ140EP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5031
Codice costruttore:
SQJ140EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

266A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

SQJ140EP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

88W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

49.2nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.12mm

Lunghezza

6.25mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N Vishay da 40 V (D-S) e 175 °C per uso automobilistico è dotato di contenitore tipo SO-8L PowerPAK con corrente di drain di 266 A.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Qualifica AEC-Q101

Testato al 100% Rg e UIS

Il rapporto QGD/QGS < 1 ottimizza le caratteristiche di commutazione

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