MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 50 mΩ Miglioramento, 44 A, 8 Pin, HSOF, Superficie IPT60R050G7XTMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2556
Codice costruttore:
IPT60R050G7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

44A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

HSOF

Serie

CoolMOS P7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

50mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

245W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

68nC

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione in oro Infineon Cool MOS™ C7 (G7) unisce i vantaggi della migliore tecnologia C7 Cool MOS™ 600V Gold, La capacità della sorgente Kelvin 4pin e le proprietà termiche migliorate del contenitore senza terminali (A PEDAGGIO) consentono una possibile soluzione SMD per topologie di commutazione rigida a corrente elevata, come la correzione del fattore di potenza (PFC) fino a 3kW e per circuiti risonanti come High End LLC.

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