MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 30 V, 8 mΩ Miglioramento, 55 A, 8 Pin, PDFN56, Superficie

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Codice RS:
216-9671
Codice costruttore:
TSM080N03EPQ56
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
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Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TSM025

Tipo di package

PDFN56

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

54W

Temperatura massima di funzionamento

155°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC

Larghezza

5 mm

Altezza

1mm

Lunghezza

6mm

Standard automobilistico

No

non fonderie


I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

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