MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 30 V, 8 mΩ Miglioramento, 73 A, 8 Pin, PDFN56, Superficie TSM080N03PQ56

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 50 unità*

48,85 €

(IVA esclusa)

59,60 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In uscita dal catalogo
  • 4950 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
50 - 500,977 €48,85 €
100 - 2000,878 €43,90 €
250 - 4500,861 €43,05 €
500 - 9500,80 €40,00 €
1000 +0,783 €39,15 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
216-9674
Codice costruttore:
TSM080N03PQ56
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

73A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PDFN56

Serie

TSM025

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

69W

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

155°C

Altezza

1mm

Lunghezza

6mm

Larghezza

5 mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC

Standard automobilistico

No

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg

Link consigliati