MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 30 V, 8 mΩ Miglioramento, 55 A, 8 Pin, PDFN56, Superficie TSM080N03EPQ56

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
216-9672
Codice costruttore:
TSM080N03EPQ56
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
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Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PDFN56

Serie

TSM025

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

54W

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

155°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC

Lunghezza

6mm

Larghezza

5 mm

Altezza

1mm

Standard automobilistico

No

non fonderie


I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg

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