MOSFET Infineon, canale N, 12,4 MO, 63 A, PQFN 5 x 6, Montaggio superficiale

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Codice RS:
217-2610
Codice costruttore:
IRFH5110TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

63 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

PQFN 5 x 6

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

12,4 MO

Tensione di soglia gate massima

4V

Numero di elementi per chip

1

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 100V in contenitore PQFN.

Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Livello normale : ottimizzato per una tensione di pilotaggio gate di 10 V.
Contenitore di potenza a montaggio superficiale standard industriale

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