MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 1.7 mΩ N, 177 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB017N08N5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3025
Codice costruttore:
IPB017N08N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

177A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TO-263

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

N

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N serie Infineon OptiMOS™ 5. I dispositivi di questa famiglia sono progettati appositamente per la rettifica sincrona in alimentatori per server e telecomunicazioni. Inoltre, possono essere utilizzati anche in altre applicazioni industriali come pannelli solari, unità a bassa tensione e adattatori.

RDS(ON) resistenza molto bassa in stato attivo

Canale N, livello normale

Testato con effetto valanga al 100%

Placcatura senza piombo

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