MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 2 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Foro passante

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

1780,00 €

(IVA esclusa)

2170,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 02 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +1,78 €1.780,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
218-3032
Codice costruttore:
IPB120N06S4H1ATMA2
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS-T2

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza a canale N serie Infineon OptiMOS™-T2. Ha basse perdite di potenza di conduzione e commutazione per un'elevata efficienza termica.

Canale N - modalità potenziata

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Testato al 100% con effetto valanga

Link consigliati