MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0.24 Ω 650 V, 40 A, Superficie, 5 Pin SCTL90N65G2V

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Codice RS:
219-4225
Codice costruttore:
SCTL90N65G2V
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds)

0.24 Ω

Tensione massima della sorgente di scarico (Vds)

650 V

Massima corrente di scarico continua (Id)

40 A

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Serie

SCTL90N

The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitances

Source sensing pin for increased efficiency

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