MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.24 Ω 650 V, 40 A, Superficie, 5 Pin SCTL90N65G2V

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Codice RS:
219-4225
Codice costruttore:
SCTL90N65G2V
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.24Ω

Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia MOSFET Sic avanzata e innovativa di 2a generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da una notevolmente bassa resistenza all'accensione per area unitaria e da ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Diodo intrinseco molto veloce e robusto

Bassa capacità

Perno di rilevamento sorgente per una maggiore efficienza

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