MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 60 mΩ Miglioramento, 151 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante IPZA60R060P7XKSA1
- Codice RS:
- 220-7466
- Codice costruttore:
- IPZA60R060P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 20 - 48 | 5,35 € | 10,70 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7466
- Codice costruttore:
- IPZA60R060P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 151A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 60mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 67nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 164W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Altezza | 21.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Massima corrente di scarico continua Id 151A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 60mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 67nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 164W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Altezza 21.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS 600V Infineon è il successore della serie 600V Cool MOS P6. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore RonxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (QG) della piattaforma di generazione Cool MOS 7th ne garantiscono un'elevata efficienza.
600V P7 consente un'eccellente RDS(ON)xEoss FOM e RDS(ON)xQG
Robustezza ESD di ≥ 2kV (HBM classe 2)
Resistore gate RG integrato
Diodo dal corpo robusto
Ampia gamma di contenitori a foro passante e per montaggio superficiale
Sono disponibili parti di grado standard e industriale
Eccellenti FOMS RDS(ON)xQG / RDS(ON)xEoss consentono una maggiore efficienza
Facilità d'uso in ambienti di produzione grazie all'interruzione dei guasti ESD
La RG integrata riduce la sensibilità di oscillazione del MOSFET
Il MOSFET è adatto per topologie di commutazione sia difficili che risonanti Come PFC e LLC
Eccellente robustezza durante la commutazione difficile del diodo del corpo visto Nella topologia LLC
Adatto per un'ampia varietà di applicazioni finali e uscite poteri
Parti disponibili adatte per applicazioni industriali e di consumo
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