MOSFET e diodo Infineon, canale N 100 V, 14 mΩ Miglioramento, 73 A, 2 Pin, TO-263, Superficie IRFS4610TRLPBF
- Codice RS:
- 220-7497
- Codice costruttore:
- IRFS4610TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 1,203 € | 962,40 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7497
- Codice costruttore:
- IRFS4610TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 73A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 2 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 14mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 140nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 190W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.83mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 9.65mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Massima corrente di scarico continua Id 73A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 2 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 14mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 140nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 190W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.83mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 9.65mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strong IRFET è ottimizzata per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. La gamma completa soddisfa un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione della batteria, inverter e convertitori c.c.-c.c.
Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Contenitore per montaggio superficiale standard industriale
Corrente nominale elevata
Ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Livello di qualifica standard industriale
I piedini di uscita standard consentono la sostituzione drop-in
Capacità di corrente di ripple elevata
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