MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 100 V, 14 mΩ Miglioramento, 73 A, 2 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 220-7497
- Codice costruttore:
- IRFS4610TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 bobina da 800 unità*
994,40 €
(IVA esclusa)
1212,80 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 25 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 1,243 € | 994,40 € |
| 1600 + | 1,18 € | 944,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7497
- Codice costruttore:
- IRFS4610TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 73A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 2 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 14mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 190W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 140nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.83 mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 9.65mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Massima corrente di scarico continua Id 73A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 2 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 14mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 190W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 140nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.83 mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 9.65mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strong IRFET è ottimizzata per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. La gamma completa soddisfa un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione della batteria, inverter e convertitori c.c.-c.c.
Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Contenitore per montaggio superficiale standard industriale
Corrente nominale elevata
Ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Livello di qualifica standard industriale
I piedini di uscita standard consentono la sostituzione drop-in
Capacità di corrente di ripple elevata
Link consigliati
- MOSFET e diodo Infineon 14 mΩ Miglioramento 2 Pin Superficie IRFS4610TRLPBF
- MOSFET e diodo Infineon 190 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie
- MOSFET e diodo Infineon 3.3 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET e diodo Infineon 8.3 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET e diodo Infineon 3.1 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET e diodo Infineon 1.1 mΩ Miglioramento 7 Pin Superficie
- MOSFET e diodo Infineon 2 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET e diodo Infineon 50 mΩ Miglioramento 2 Pin Superficie
