MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 100 V, 14 mΩ Miglioramento, 73 A, 2 Pin, TO-263, Superficie IRFS4610TRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7498
Codice costruttore:
IRFS4610TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

73A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

2

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

190W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

140nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

9.65mm

Larghezza

4.83 mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strong IRFET è ottimizzata per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. La gamma completa soddisfa un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione della batteria, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Contenitore per montaggio superficiale standard industriale

Corrente nominale elevata

Ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Livello di qualifica standard industriale

I piedini di uscita standard consentono la sostituzione drop-in

Capacità di corrente di ripple elevata

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