MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 65 mΩ Miglioramento, 29 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie IPL60R065C7AUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4909
Codice costruttore:
IPL60R065C7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

IPD50R

Tipo di package

ThinPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

180W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

68nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Lunghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super-giunzione (SJ) Infineon CoolMOS™ 600V C7 ∼™ Il modello IPL60R185C7 è anche un abbinamento perfetto per caricabatterie ad alta densità di potenza.

Ridotti parametri di perdite di commutazione quali Q G, C oss, E oss

Dati di merito migliori della categoria Q G*R DS(on)

Maggiore frequenza di commutazione

Migliore valore R (on)*A in tutto il mondo

Diodo dal corpo robusto

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