MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 65 mΩ Miglioramento, 29 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie IPL60R065C7AUMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

10,38 €

(IVA esclusa)

12,66 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 11 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 85,19 €10,38 €
10 - 184,52 €9,04 €
20 - 484,205 €8,41 €
50 - 983,945 €7,89 €
100 +3,635 €7,27 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4909
Codice costruttore:
IPL60R065C7AUMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

ThinPAK

Serie

IPD50R

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

68nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

180W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Lunghezza

8.1mm

Larghezza

8.1 mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super-giunzione (SJ) Infineon CoolMOS™ 600V C7 ∼™ Il modello IPL60R185C7 è anche un abbinamento perfetto per caricabatterie ad alta densità di potenza.

Ridotti parametri di perdite di commutazione quali Q G, C oss, E oss

Dati di merito migliori della categoria Q G*R DS(on)

Maggiore frequenza di commutazione

Migliore valore R (on)*A in tutto il mondo

Diodo dal corpo robusto

Link consigliati