MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 75 mΩ Miglioramento, 33 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie IPL60R075CFD7AUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4912
Codice costruttore:
IPL60R075CFD7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

ThinPAK

Serie

IPL60R

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

75mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

189W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

67nC

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

8.1mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Larghezza

8.1 mm

Standard automobilistico

No

Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 è la più recente tecnologia MOSFET a supergiunzione ad alta tensione di Infineon con diodo integrato a corpo rapido, che completa la serie CoolMOS™ 7. CoolMOS™ CFD7 viene fornito con carica di gate ridotta (Qg), comportamento di spegnimento migliorato e una carica di recupero inverso (Qrr) fino al 69% in meno rispetto alla concorrenza, nonché il tempo di recupero inverso (trr) più basso sul mercato.

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