MOSFET Infineon, canale N 600 V, 120 mΩ Miglioramento, 17 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie IPL60R125C7AUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4914
Codice costruttore:
IPL60R125C7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

ThinPAK

Serie

IPL60R

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

120mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

103W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Tensione diretta Vf

900mV

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Larghezza

8.1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super-giunzione (SJ) Infineon CoolMOS™ 600V C7 ∼™ Il modello IPL60R185C7 è anche un abbinamento perfetto per caricabatterie ad alta densità di potenza.

Ridotti parametri di perdite di commutazione quali Q G, C oss, E oss

Dati di merito migliori della categoria Q G*R DS(on)

Maggiore frequenza di commutazione

Migliore valore R (on)*A in tutto il mondo

Diodo dal corpo robusto

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