MOSFET Infineon, canale N, 190 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
225-0565
Codice costruttore:
BSS169IXTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

190 mA

Tensione massima drain source

100 V

Serie

BSS169I

Tipo di package

SOT-23

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Modalità del canale

Depletion

Tensione di soglia gate massima

1.8V

Numero di elementi per chip

1

Infineon BSS169I è un MOSFET a canale N e P di potenza piccolo e a segnale ridotto che offre un'ampia gamma di livelli VGS(th) e valori RDS(on), nonché classi di tensione multiple. Questo MOSFET è dotato di opzioni di ottimizzazione e modalità di svuotamento.

Spazio su circuito stampato e risparmio sui costi
Flessibilità dello stadio pilota
Riduzione della complessità di progettazione
Ecologico
Elevata efficienza complessiva

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