MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 10 Ω Depletion, 190 mA, 4 Pin, SOT-223, Superficie BSS123IXTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
225-0557
Codice costruttore:
BSS123IXTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

190mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-223

Serie

BSS123I

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.63nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.8mm

Lunghezza

6.7mm

Larghezza

3.7 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-39-400

Infineon BSS123I è un MOSFET a canale N e P di potenza piccolo e a segnale ridotto che offre un'ampia gamma di livelli VGS(th) e valori RDS(on), nonché classi di tensione multiple. Questo MOSFET è dotato di opzioni di ottimizzazione e modalità di svuotamento.

Spazio su circuito stampato e risparmio sui costi

Flessibilità dello stadio pilota

Riduzione della complessità di progettazione

Ecologico

Elevata efficienza complessiva

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