MOSFET Infineon, canale N 100 V, 10 Ω Depletion, 190 mA, 4 Pin, SOT-223, Superficie BSS123IXTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
225-0557
Codice Distrelec:
304-39-400
Codice costruttore:
BSS123IXTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

190mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

BSS123I

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10Ω

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

0.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.63nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.7mm

Lunghezza

6.7mm

Altezza

1.8mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie BSS123I, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 190 mA - BSS123IXTSA1


Questo MOSFET è un transistor a canale N a piccolo segnale progettato per applicazioni a montaggio superficiale, che fornisce funzioni di commutazione e amplificazione in un ampio intervallo di temperatura. È progettato per circuiti che richiedono un dispositivo in modalità di esaurimento con una gestione della corrente modesta e una capacità di tensione moderata, adatto per assemblaggi compatti in cui è richiesto un pacchetto SOT-223 e una gestione della potenza conservativa.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale da drain a sorgente di 100 V offre capacità di commutazione ad alta tensione
• L'RDS(on) massimo di 10 Ω fornisce una conduzione controllata in stato attivo
• La corrente di drenaggio continua di 190 mA supporta carichi a bassa corrente
• La dissipazione di potenza di 0,5 W limita lo stress termico in layout limitati
• La carica di gate tipica di 0,63 nC consente una richiesta di energia di commutazione modesta
• La tolleranza del gate di ±20 V consente un'ampia flessibilità dell'azionamento del gate

Applicazioni


• Utilizzato per la commutazione ad alta tensione a bassa corrente nei circuiti di controllo
• Adatto per la gestione dell'alimentazione a montaggio superficiale su schede compatte
• Ideale per funzioni di attenuazione del segnale analogico o pull-down
• Può essere utilizzato per il passaggio di livello in sistemi a tensione mista
• Utilizzato con gli stadi di pilotaggio che necessitano di caratteristiche di modalità di esaurimento

In quale intervallo di temperatura ambientale può funzionare?


È specificato per funzionare correttamente da -55 °C fino a 150 °C.

Quale pacchetto devono pianificare i progettisti per posizionare la scheda?


Il dispositivo viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale SOT-223 con quattro pin per la pianificazione dell'ingombro del circuito stampato.

In che modo la carica del gate influisce sulle prestazioni di commutazione?


Una carica di gate tipica di 0,63 nC riduce l'energia necessaria per l'azionamento del gate e influisce sulla velocità di transizione nelle topologie di commutazione.

Cosa limita la corrente continua massima nelle applicazioni?


La corrente di drenaggio continua specificata di 190 mA definisce i limiti termici e di conduzione per un funzionamento prolungato.

È progettato come componente di livello automobilistico?


Non è classificato secondo gli standard automobilistici e non deve essere considerato conforme alle qualifiche automobilistiche.

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