MOSFET Infineon, canale N 600 V, 600 Ω Miglioramento, 21 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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*prezzo indicativo

Codice RS:
225-0558
Codice costruttore:
BSS127IXTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

21mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

BSS127I

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

0.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.65nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.7mm

Altezza

1.8mm

Lunghezza

6.7mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie BSS127I, tensione massima della sorgente di drenaggio di 600 V, corrente di drenaggio continua massima di 21 mA - BSS127IXTSA1


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N compatto progettato per la commutazione generale in applicazioni a montaggio superficiale in un'ampia gamma ambientale. È progettato per circuiti che richiedono un transistor ad alta tensione con capacità di corrente modesta e un contenitore SOT-23 standard a tre pin per l'integrazione a livello di scheda.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tolleranza di drenaggio di 600 V consente la commutazione ad alta tensione
• La dissipazione di potenza di 0,5 W limita il carico termico in progetti ristretti
• La corrente di drenaggio continua di 21 mA è adatta per la commutazione di segnali a bassa corrente
• La carica gate di 0,65 nC supporta transizioni gate più veloci con azionamento ridotto
• La resistenza drain-source di 600 Ω fornisce una perdita in stato di spegnimento prevedibile
• Il valore nominale gate di 20 V consente l'interfaccia con i comuni driver a livello logico

Applicazioni


• Adatto per la commutazione di segnali ad alta tensione nei circuiti di controllo
• Ideale per lo sterzo di potenza a bassa corrente di relè e solenoidi
• Utilizzato con driver logici in cui la bassa carica del gate riduce le perdite
• Può essere utilizzato per il passaggio di livello e i circuiti di protezione montati su scheda
• Adatto per moduli compatti a montaggio superficiale che richiedono contenitori di piccole dimensioni

Quale intervallo di temperatura può tollerare in ambienti industriali?


Funziona in modo affidabile da -55 °C fino a 150 °C.

In che modo la caratteristica relativa al diodo del dispositivo influisce sui progetti?


La soglia di conduzione diretta è di 1,2 V, che fornisce informazioni sulla conduzione dei diodi nei circuiti.

Quali considerazioni sul montaggio e sul numero di pin devono essere prese in considerazione dai progettisti?


Viene fornito in un profilo a montaggio superficiale SOT-23 con tre pin per un posizionamento semplice del circuito stampato.

In che modo le dimensioni del contenitore del transistor influenzano la densità del layout?


Il pacchetto misura 6,7 x 3,7 x 1,8 mm, consentendo un posizionamento compatto mantenendo i vincoli termici.

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