MOSFET Infineon, canale N 600 V, 600 Ω Miglioramento, 21 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS127IXTSA1
- Codice RS:
- 225-0559
- Codice costruttore:
- BSS127IXTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 225-0559
- Codice costruttore:
- BSS127IXTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 21mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Serie | BSS127I | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 600Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.5W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.65nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.8mm | |
| Larghezza | 3.7mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.7mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 21mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Serie BSS127I | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 600Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.5W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.65nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.8mm | ||
Larghezza 3.7mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.7mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie BSS127I, tensione massima della sorgente di drenaggio di 600 V, corrente di drenaggio continua massima di 21 mA - BSS127IXTSA1
Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N compatto progettato per la commutazione generale in applicazioni a montaggio superficiale in un'ampia gamma ambientale. È progettato per circuiti che richiedono un transistor ad alta tensione con capacità di corrente modesta e un contenitore SOT-23 standard a tre pin per l'integrazione a livello di scheda.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tolleranza di drenaggio di 600 V consente la commutazione ad alta tensione
• La dissipazione di potenza di 0,5 W limita il carico termico in progetti ristretti
• La corrente di drenaggio continua di 21 mA è adatta per la commutazione di segnali a bassa corrente
• La carica gate di 0,65 nC supporta transizioni gate più veloci con azionamento ridotto
• La resistenza drain-source di 600 Ω fornisce una perdita in stato di spegnimento prevedibile
• Il valore nominale gate di 20 V consente l'interfaccia con i comuni driver a livello logico
• La dissipazione di potenza di 0,5 W limita il carico termico in progetti ristretti
• La corrente di drenaggio continua di 21 mA è adatta per la commutazione di segnali a bassa corrente
• La carica gate di 0,65 nC supporta transizioni gate più veloci con azionamento ridotto
• La resistenza drain-source di 600 Ω fornisce una perdita in stato di spegnimento prevedibile
• Il valore nominale gate di 20 V consente l'interfaccia con i comuni driver a livello logico
Applicazioni
• Adatto per la commutazione di segnali ad alta tensione nei circuiti di controllo
• Ideale per lo sterzo di potenza a bassa corrente di relè e solenoidi
• Utilizzato con driver logici in cui la bassa carica del gate riduce le perdite
• Può essere utilizzato per il passaggio di livello e i circuiti di protezione montati su scheda
• Adatto per moduli compatti a montaggio superficiale che richiedono contenitori di piccole dimensioni
• Ideale per lo sterzo di potenza a bassa corrente di relè e solenoidi
• Utilizzato con driver logici in cui la bassa carica del gate riduce le perdite
• Può essere utilizzato per il passaggio di livello e i circuiti di protezione montati su scheda
• Adatto per moduli compatti a montaggio superficiale che richiedono contenitori di piccole dimensioni
Quale intervallo di temperatura può tollerare in ambienti industriali?
Funziona in modo affidabile da -55 °C fino a 150 °C.
In che modo la caratteristica relativa al diodo del dispositivo influisce sui progetti?
La soglia di conduzione diretta è di 1,2 V, che fornisce informazioni sulla conduzione dei diodi nei circuiti.
Quali considerazioni sul montaggio e sul numero di pin devono essere prese in considerazione dai progettisti?
Viene fornito in un profilo a montaggio superficiale SOT-23 con tre pin per un posizionamento semplice del circuito stampato.
In che modo le dimensioni del contenitore del transistor influenzano la densità del layout?
Il pacchetto misura 6,7 x 3,7 x 1,8 mm, consentendo un posizionamento compatto mantenendo i vincoli termici.
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