MOSFET Infineon, canale N 600 V, 600 Ω Miglioramento, 21 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS127H6327XTSA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
753-2832
Codice costruttore:
BSS127H6327XTSA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

21mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SIPMOS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

820mV

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.65nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.3mm

Lunghezza

2.9mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie SIPMOS, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 21 mA - BSS127H6327XTSA2


Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione a montaggio superficiale in sistemi elettronici compatti. Funziona in un ampio intervallo di temperature per ambienti difficili ed è adatto per le applicazioni che richiedono un dispositivo robusto a ingombro ridotto con caratteristiche di azionamento gate controllate.

Caratteristiche e vantaggi:


• La resistenza drain-source di 600 V offre capacità di commutazione ad alta tensione
• La carica di gate tipica di 0,65 nC consente una commutazione più rapida e a perdita ridotta
• L'RDS(on) massimo di 600 Ω riduce le perdite in stato di spegnimento nei circuiti ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 21 mA è adatta alle funzioni di controllo a bassa corrente
• La dissipazione di potenza massima di 500 mW gestisce il carico termico in layout compatti
• La tensione nominale VGS fino a 20 V consente la compatibilità con le comuni tensioni di gate drive

Applicazioni


• Adatto per topologie di conversione di potenza ad alta tensione
• Ideale per sensori di livello automobilistico e circuiti ausiliari
• Utilizzato con regolatori di commutazione compatti e stadi flyback
• Può essere utilizzato per la traduzione del segnale a livello di gate nei circuiti di protezione
• Adatto per moduli di gestione dell'alimentazione a fattore di forma ridotto

Quale contenitore e stile di montaggio utilizza per l'assemblaggio del circuito stampato?


È fornito in un contenitore SOT-23 progettato per il posizionamento a montaggio superficiale e la saldatura a riflusso.

Quali estremi termici può sopportare durante il funzionamento?


Il dispositivo è specificato per funzionare tra -55 °C e 150 °C, supportando ampie escursioni termiche in ambienti difficili.

Quanti collegamenti elettrici sono disponibili per l'integrazione dei circuiti?


Il componente utilizza una configurazione a tre pin compatibile con i tipici layout MOSFET discreti.

Il dispositivo è qualificato per applicazioni automobilistiche?


È conforme allo standard AEC-Q101, che indica l'idoneità per l'uso elettronico automobilistico.

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