MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 600 Ω Miglioramento, 21 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS127H6327XTSA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
753-2832
Codice costruttore:
BSS127H6327XTSA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

21mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

SOT-23

Serie

SIPMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.65nC

Tensione diretta Vf

0.82V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1mm

Lunghezza

2.9mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.3 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET canale N Infineon SIPMOS®


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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