MOSFET Vishay, canale Tipo N, 0.0255 Ω 100 V, 24.7 A Miglioramento, PowerPAK 1212-8, Superficie, 8 Pin SiS890ADN-T1-GE3
- Codice RS:
- 228-2926
- Codice costruttore:
- SiS890ADN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 228-2926
- Codice costruttore:
- SiS890ADN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Documentazione Tecnica
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 24.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0255Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 24.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package PowerPAK 1212-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0255Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
MOSFET a canale N 100 V (D-S) Vishay.
Testato al 100% Rg e UIS
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