MOSFET Vishay, canale N, 0,0255 Ω, 24,7 A, PowerPak 1212-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:
228-2926
Codice costruttore:
SiS890ADN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

24,7 A

Tensione massima drain source

100 V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPak 1212-8

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

0,0255 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.5V

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

MOSFET Vishay a canale N da 100 V (D-S).

Testato al 100% Rg e UIS

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