MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 50 mΩ N, 62 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

5414,40 €

(IVA esclusa)

6605,60 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 28 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
800 +6,768 €5.414,40 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
229-6443
Codice costruttore:
NTBG045N065SC1
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

62A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SiC Power

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

50mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

105nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Dissipazione di potenza massima Pd

242W

Tensione diretta Vf

4.8V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.7 mm

Altezza

9.4mm

Lunghezza

10.2mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I MOSFET serie di potenza SiC on Semiconductor utilizzano una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza IN STATO ATTIVO e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e una carica di gate.

Massima efficienza

Frequenza di funzionamento più rapida

Densità di potenza aumentata

EMI ridotte

Dimensioni ridotte del sistema

Link consigliati