MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 50 mΩ N, 62 A, 7 Pin, TO-263, Superficie NTBG045N065SC1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-6444
Codice costruttore:
NTBG045N065SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

62A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SiC Power

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

50mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Tensione diretta Vf

4.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

105nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

242W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

9.4mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.2mm

Larghezza

4.7 mm

Standard automobilistico

No

I MOSFET serie di potenza SiC on Semiconductor utilizzano una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza IN STATO ATTIVO e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e una carica di gate.

Massima efficienza

Frequenza di funzionamento più rapida

Densità di potenza aumentata

EMI ridotte

Dimensioni ridotte del sistema

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