MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.052 Ω 1200 V, 60 A Miglioramento, H2PAK-7, Superficie, 7 Pin SCTH60N120G2-7

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Codice RS:
233-0470
Codice costruttore:
SCTH60N120G2-7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

H2PAK-7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.052Ω

Modalità canale

Miglioramento

Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia MOSFET SiC avanzata e innovativa di 2a generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da una notevolmente bassa resistenza all'accensione per area unitaria e da ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto.

Carica gate estremamente bassa e capacità di ingresso estremamente bassa

Perno di rilevamento sorgente per una maggiore efficienza

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