MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 99 mΩ, 29 A, 7 Pin, HU3PAK, Superficie STHU36N60DM6AG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
234-8898
Codice costruttore:
STHU36N60DM6AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

STHU36N

Tipo di package

HU3PAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

99mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

210W

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh DM6. Rispetto alla generazione rapida MDmesh precedente, il DM6 combina carica di recupero molto bassa (Qrr), tempo di recupero (trr) e eccellente miglioramento di RDS(on) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte più impegnative ad alta efficienza e i convertitori a spostamento di fase ZVS.

Certificazione AEC-Q101,

diodo corpo a recupero rapido

RDS(on) inferiore per area rispetto alla generazione precedente,

carica gate bassa, capacità di ingresso e resistenza

a100% testati a valanga

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