MOSFET di potenza Vishay, canale N 800 V, 0.195 Ω, 20 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante SIHP24N80AEF-GE3
- Codice RS:
- 239-5382
- Codice costruttore:
- SIHP24N80AEF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 tubo da 50 unità*
98,90 €
(IVA esclusa)
120,65 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 15 luglio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,978 € | 98,90 € |
| 100 - 200 | 1,859 € | 92,95 € |
| 250 + | 1,681 € | 84,05 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 239-5382
- Codice costruttore:
- SIHP24N80AEF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Serie | EF | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.195Ω | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 90nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 208W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Serie EF | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.195Ω | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 90nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 208W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie EF di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua 20 A - SIHP24N80AEF-GE3
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per l'elettronica di potenza a foro passante. È progettato per l'uso in ambienti che richiedono una commutazione robusta a tensioni e correnti elevate, offrendo una conduzione controllata e un comportamento di commutazione rapido per applicazioni industriali e convertitori, operando in un intervallo di temperatura molto ampio.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 800 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 20 A supporta la gestione di carichi pesanti
• La bassa Rds(on) di 0.195 Ω riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza 208 W consente un funzionamento ad alta potenza
• La carica di gate tipica a 90 nC garantisce una dinamica di commutazione prevedibile
• Il gate-source massimo di 30 V protegge l'integrità del gate
• La corrente di drenaggio continua di 20 A supporta la gestione di carichi pesanti
• La bassa Rds(on) di 0.195 Ω riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza 208 W consente un funzionamento ad alta potenza
• La carica di gate tipica a 90 nC garantisce una dinamica di commutazione prevedibile
• Il gate-source massimo di 30 V protegge l'integrità del gate
Applicazioni
• Adatto per gli stadi dei convertitori CC-CC ad alta tensione
• Ideale per le funzioni di interruttore primario di alimentazione
• Utilizzato con circuiti front-end per azionamento motore
• Può essere utilizzato per la commutazione di inverter industriali
• Adatto per piattaforme di prova ad alta tensione da laboratorio
• Ideale per le funzioni di interruttore primario di alimentazione
• Utilizzato con circuiti front-end per azionamento motore
• Può essere utilizzato per la commutazione di inverter industriali
• Adatto per piattaforme di prova ad alta tensione da laboratorio
Quale contenitore e metodo di montaggio utilizza?
È fornito in un contenitore TO-220AB ed è progettato per il montaggio a foro passante per consentire un dissipatore di calore diretto e il fissaggio al telaio.
Quale gamma termica può resistere in ambienti difficili?
Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, adattandosi ad ampie temperature ambientali e di giunzione elevate.
In che modo la tensione diretta influisce sulle prestazioni di commutazione?
La tensione diretta tipica di 1,2 V indica il comportamento della soglia di conduzione durante la conduzione del diodo corpo e influisce sui calcoli della perdita durante gli eventi di recupero inverso e rotazione libera.
Questo dispositivo è adatto per progetti standard automobilistici?
Non è progettato per soddisfare gli standard automobilistici e non deve essere considerato conforme ai requisiti specifici per il settore automobilistico.
Link consigliati
- MOSFET di potenza Vishay 0.195 Ω 3 Pin Foro passante SIHP24N80AEF-GE3
- MOSFET di potenza Vishay 1.35 Ω 3 Pin Superficie SIHP5N80AE-GE3
- MOSFET di potenza Vishay 304 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET di potenza Vishay 0.483 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Vishay 25 A Foro passante SIHP25N40D-GE3
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.176 Ω JEDEC TO-220AB, 3 Pin SIHP21N60EF-GE3
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.145 Ω JEDEC TO-220AB, 3 Pin SIHP25N50E-GE3
- MOSFET di potenza Vishay 1 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SIHP6N40D-GE3
