MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 400 V, 0.55 Ω, 10 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF740ASPBF
- Codice RS:
- 256-7276
- Codice costruttore:
- IRF740ASPBF
- Costruttore:
- Vishay
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 256-7276
- Codice costruttore:
- IRF740ASPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 400V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | IRF740AS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.55Ω | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10V | |
| Tensione diretta Vf | 2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 400V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie IRF740AS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.55Ω | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10V | ||
Tensione diretta Vf 2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie IRF740AS di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 400 V, corrente di drenaggio continua massima di 10 A - IRF740ASPBF
Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per le attività di commutazione e controllo della potenza nei sistemi elettronici industriali. È fornito in un contenitore TO-263 a montaggio superficiale adatto per l'assemblaggio a livello di scheda ed è destinato all'uso nei casi in cui è richiesta una robusta gestione della tensione e una notevole capacità di corrente.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 400 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 10 A supporta l'azionamento del carico sostenuto
• L'Rds(on) di 0,55 Ω riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza di 125 W consente una gestione significativa del carico termico
• La carica di gate tipica di 36 nC consente transizioni di commutazione reattive
• L'intervallo di funzionamento di ±150 °C supporta ambienti a temperatura elevata
• La corrente di drenaggio continua di 10 A supporta l'azionamento del carico sostenuto
• L'Rds(on) di 0,55 Ω riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza di 125 W consente una gestione significativa del carico termico
• La carica di gate tipica di 36 nC consente transizioni di commutazione reattive
• L'intervallo di funzionamento di ±150 °C supporta ambienti a temperatura elevata
Applicazioni
• Adatto per convertitori di potenza nelle apparecchiature di automazione
• Ideale per le fasi di azionamento del motore ad alta tensione
• Utilizzato per alimentatori switching nell'elettronica industriale
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nei moduli di distribuzione dell'alimentazione
• Utilizzato con sistemi di gestione termica in ambienti difficili
• Ideale per le fasi di azionamento del motore ad alta tensione
• Utilizzato per alimentatori switching nell'elettronica industriale
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nei moduli di distribuzione dell'alimentazione
• Utilizzato con sistemi di gestione termica in ambienti difficili
Quale contenitore e stile di montaggio utilizza per l'assemblaggio del circuito stampato?
È fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-263 con tre pin per il fissaggio SMD diretto.
Quali sono i limiti di tensione del gate che i progettisti devono rispettare?
Il gate deve essere mantenuto entro ±10 V rispetto alla sorgente per evitare di superare il valore nominale gate-source.
Come si comporta termicamente in caso di carico continuo?
Può dissipare fino a 125 W
è necessario un dissipatore di calore o un design termico della scheda appropriato per gestire la temperatura di giunzione.
Ci sono considerazioni ambientali o di omologazione quando lo si specifica?
È conforme agli standard RoHS per le sostanze soggette a restrizioni.
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