MOSFET Infineon, canale Tipo N -30 V, 290 mΩ, -5.1 A, 6 Pin, PQFN, Superficie IRFHS9351TRPBF
- Codice RS:
- 257-9392
- Codice costruttore:
- IRFHS9351TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
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- Codice RS:
- 257-9392
- Codice costruttore:
- IRFHS9351TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -5.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 290mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 1.9nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.4W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Larghezza | 2 mm | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id -5.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -30V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package PQFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 290mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.9nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.4W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 0.9mm | ||
Larghezza 2 mm | ||
Lunghezza 2mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRFHS di Infineon è un potente mosfet di potenza IRFET a doppio canale p da -30 V in un contenitore PQFN 2x2. La robusta famiglia di potenza IRFET Mosfet è ottimizzata per bassi RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.
Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale
Basso RDS (on) in un contenitore di piccole dimensioni
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