MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 2.2 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie IAUC100N04S6N022ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-0910
Codice costruttore:
IAUC100N04S6N022ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IAUC

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

75W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

La tecnologia MOS di potenza Infineon OptiMOS 6 da 40 V nel contenitore senza cavo SS08 da 5 x 6 mm2 con il massimo livello di qualità e robustezza per le applicazioni automobilistiche. Un portafoglio di 16 prodotti che consente al cliente di trovare il prodotto più adatto alle proprie applicazioni. Tutto ciò consente il miglior prodotto della categoria FOM e prestazioni sul mercato. Il nuovo prodotto SS08 offre una corrente nominale continua di 120 A, >Il 25% in più rispetto al DPAK standard a quasi la metà della sua area di ingombro.

Canale N - Modalità di potenziamento - normale certificazione LevelAEC Q101

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

Prodotto ecologico (conforme a RoHS)

Testato al 100% a valanga

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