MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 0.085 Ω, 54.9 A, 3 Pin, PG-TO-247, Foro passante SPW55N80C3FKSA1
- Codice RS:
- 259-1579
- Codice costruttore:
- SPW55N80C3FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
13,17 €
(IVA esclusa)
16,07 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 85 unità in spedizione dal 30 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 4 | 13,17 € |
| 5 - 9 | 12,92 € |
| 10 - 99 | 12,11 € |
| 100 - 249 | 10,23 € |
| 250 + | 10,14 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 259-1579
- Codice costruttore:
- SPW55N80C3FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 54.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | PG-TO-247 | |
| Serie | CoolMOS^TM | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.085Ω | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 54.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package PG-TO-247 | ||
Serie CoolMOS^TM | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.085Ω | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon 800 V coolmos C3 è la terza serie di coolmos di Infineon con l'ingresso sul mercato nel 2001. C3 è il \"cavallo da lavoro\" del portafoglio. È dotato di elevata efficienza e densità di potenza.
Bassa resistenza specifica allo stato attivo (RDS(on)*A)
Immagazzinamento di energia molto bassa nella capacità di uscita (Eoss) a 400 V
Bassa carica del gate (Qg)
Qualità coolmos collaudata sul campo
La tecnologia Coolmos è stata prodotta da Infineon dal 1998
