MOSFET Infineon, canale N 30 V, 200 mΩ Miglioramento, 3.2 A, 6 Pin, Micro6, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

432,00 €

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Unità
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Per bobina*
3000 - 30000,144 €432,00 €
6000 - 60000,137 €411,00 €
9000 +0,128 €384,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
262-6785
Codice costruttore:
IRLMS1503TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

3.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

Micro6

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

200mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza Infineon utilizzano tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una resistenza all'accensione estremamente bassa per area di silicio. È combinato con la velocità di commutazione rapida e il robusto design del dispositivo per cui i MOSFET di alimentazione sono noti, fornendo al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Rds ultrabassi

Canale N

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