MOSFET Infineon, canale N, 45 mΩ, 6,5 A, Micro6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 830-3326
Codice costruttore:: IRLMS2002TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 45 mΩ, 6,5 A, Micro6, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 830-3326
Codice costruttore:: IRLMS2002TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRLMS2002PbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	6,5 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	Micro6
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	45 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.2V
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 5 V
Larghezza	1.75mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.3mm

MOSFET Infineon, canale N, 45 mΩ, 6,5 A, Micro6, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, da 12 V a 25 V, Infineon

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