MOSFET Infineon, canale N 30 V, 200 mΩ Miglioramento, 3.2 A, 6 Pin, Micro6, Superficie IRLMS1503TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
262-6786
Codice Distrelec:
304-41-683
Codice costruttore:
IRLMS1503TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

3.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

Micro6

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

200mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza Infineon utilizzano tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una resistenza all'accensione estremamente bassa per area di silicio. È combinato con la velocità di commutazione rapida e il robusto design del dispositivo per cui i MOSFET di alimentazione sono noti, fornendo al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

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