MOSFET Vishay, canale Tipo N 150 V, 0.089 Ω Miglioramento, 5 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SI4848BDY-T1-GE3
- Codice RS:
- 279-9896
- Codice costruttore:
- SI4848BDY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
685,00 €
(IVA esclusa)
835,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,274 € | 685,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 279-9896
- Codice costruttore:
- SI4848BDY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Serie | SI | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.089Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 9nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 4.5W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Serie SI | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.089Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 4.5W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.
MOSFET di potenza TrenchFET
Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)
RDS molto basso x Qg cifra di merito
Testato al 100% Rg e UIS
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