MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.159 Ω Miglioramento, 18 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH155N60EF-T1GE3
- Codice RS:
- 279-9916
- Codice costruttore:
- SIHH155N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- 279-9916
- Codice costruttore:
- SIHH155N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 18A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | SIHH | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.159Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 156W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 38nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 8mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 18A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie SIHH | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.159Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 156W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 38nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 8mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET serie SIHH di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 18 A - SIHH155N60EF-T1GE3
Questo MOSFET è un transistor di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale in sistemi industriali. Funziona come dispositivo in modalità di potenziamento per le attività di commutazione e amplificazione in cui sono richieste elevate capacità di tensione drain-source e gestione della corrente moderata. Il componente è fornito in un contenitore PowerPAK compatto adatto per assemblaggi densi e considerazioni di gestione termica.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source 600 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 18 A supporta correnti di carico sostanziali
• L'Rds(on) di 0,159 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza 156 W consente un funzionamento ad alta potenza
• La carica di gate tipica di 38 nC garantisce requisiti di azionamento prevedibili
• La temperatura d'esercizio massima di 150 °C tollera carichi di giunzione elevati
• La corrente di drenaggio continua di 18 A supporta correnti di carico sostanziali
• L'Rds(on) di 0,159 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza 156 W consente un funzionamento ad alta potenza
• La carica di gate tipica di 38 nC garantisce requisiti di azionamento prevedibili
• La temperatura d'esercizio massima di 150 °C tollera carichi di giunzione elevati
Applicazioni
• Adatto per fasi di commutazione dell'azionamento del motore ad alta tensione
• Ideale per la commutazione sul lato primario SMPS nelle alimentazioni industriali
• Utilizzato per la conversione c. a c. c. nei moduli di gestione dell'alimentazione
• Può essere utilizzato per la commutazione induttiva del carico nelle apparecchiature di automazione
• Ideale per la commutazione sul lato primario SMPS nelle alimentazioni industriali
• Utilizzato per la conversione c. a c. c. nei moduli di gestione dell'alimentazione
• Può essere utilizzato per la commutazione induttiva del carico nelle apparecchiature di automazione
Quali sono i limiti termici durante la progettazione del dissipatore di calore?
Il dispositivo consente una temperatura d'esercizio massima di 150 °C e una dissipazione di potenza totale di 156 W
il layout termico deve tenere conto della resistenza termica del contenitore e garantire un'adeguata dissipazione di calore o rame per circuito stampato per mantenere la temperatura di giunzione entro i limiti.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per una commutazione rapida?
La carica tipica del gate è di 38 nC all'azionamento del gate specificato
scegliere un driver in grado di erogare la carica richiesta entro il tempo di commutazione desiderato rispettando la tensione massima gate-sorgente di 30 V.
Come si comporta il dispositivo in condizioni di bassa temperatura estreme?
È specificato per il funzionamento fino a -55 °C, pertanto i materiali e i processi di saldatura devono adattarsi al ciclo termico in tale intervallo.
Esistono considerazioni sul montaggio o sul numero di pin per il layout del circuito stampato?
Il componente è un PowerPAK a montaggio superficiale con quattro pin
L'ingombro del circuito stampato e le vie termiche devono essere progettati in modo da corrispondere alle prestazioni elettriche e termiche del contenitore.
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