MOSFET Vishay, canale N 600 V, 0.159 Ω Miglioramento, 18 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH155N60EF-T1GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9916
Codice costruttore:
SIHH155N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PowerPAK 8 x 8

Serie

SIHH

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.159Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

38nC

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

8mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET serie SIHH di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 600 V, corrente di drenaggio continua massima di 18 A - SIHH155N60EF-T1GE3


Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione di potenza in gruppi a montaggio superficiale. Combina una tensione nominale robusta con una notevole capacità di corrente continua ed è progettato per circuiti che richiedono una commutazione efficiente e una tolleranza termica in un'ampia gamma ambientale.

Caratteristiche e vantaggi:


• Valore nominale di drenaggio 600 V che consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 18 A che supporta il funzionamento con carichi pesanti
• L'Rds(on) di 0,159 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza di 156 W favorisce una maggiore potenza
• Carica gate tipica di 38 nC per transizioni di commutazione controllate
• Il valore nominale gate-source di 30 V consente tensioni gate-drive standard

Applicazioni


• Adatto per i front-end per azionamento di motori industriali
• Ideale per convertitori e inverter di potenza ad alta tensione
• Utilizzato con stadi di rettifica e commutazione sincroni
• Può essere utilizzato per circuiti driver LED ad alta potenza
• Prodotto impiegato in apparecchiature di test e misurazione ad alta tensione

In quale intervallo di temperatura può funzionare in modo affidabile?


Funziona in un ampio intervallo da -55 °C a 150 °C, adattandosi agli avvii a freddo e alle temperature d'esercizio elevate.

Quale metodo di imballaggio e montaggio utilizza per l'assemblaggio del circuito stampato?


Viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale PowerPAK 8x8 progettato per il montaggio su scheda a basso profilo e un contatto termico efficiente.

Quanti pin sono disponibili per il collegamento e il controllo?


Sono forniti quattro pin per implementare i collegamenti drain, source e gate nelle configurazioni MOSFET standard.

Qual è la caratteristica di tensione diretta del dispositivo rilevante per la conduzione del diodo intrinseco?


Il diodo incorporato presenta una tensione diretta tipica di 1,2 V durante gli eventi di conduzione.

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