MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 0.00735 Ω Miglioramento, 66.8 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR5808DP-T1-RE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

11,32 €

(IVA esclusa)

13,81 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 5950 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 452,264 €11,32 €
50 - 951,952 €9,76 €
100 - 2451,738 €8,69 €
250 - 9951,70 €8,50 €
1000 +1,676 €8,38 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9956
Codice costruttore:
SIR5808DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

66.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiR

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00735Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

5.15mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

RDS molto basso x Qg cifra di merito

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.