MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 0.0089 Ω Miglioramento, 54 A, 8 Pin, 1212-8, Superficie SISH103DN-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

7,49 €

(IVA esclusa)

9,14 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 5950 unità in spedizione dal 28 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 400,749 €7,49 €
50 - 900,55 €5,50 €
100 - 2400,487 €4,87 €
250 - 9900,478 €4,78 €
1000 +0,468 €4,68 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9981
Codice costruttore:
SISH103DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

54A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SISH

Tipo di package

1212-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0089Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

41.6W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

72nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale P e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg e UIS

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.