MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.029 Ω Miglioramento, 8 A, 8 Pin, 1212-8, Superficie SIS4634LDN-T1-GE3
- Codice RS:
- 279-9974
- Codice costruttore:
- SIS4634LDN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
768,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,256 € | 768,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 279-9974
- Codice costruttore:
- SIS4634LDN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | 1212-8 | |
| Serie | SIS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.029Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 19.8W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 11nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package 1212-8 | ||
Serie SIS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.029Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 19.8W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.
MOSFET di potenza TrenchFET
Testato al 100% Rg e UIS
Riduce le perdite di potenza legate alla commutazione
Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)
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