MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.029 Ω Miglioramento, 8 A, 8 Pin, 1212-8, Superficie SIS4634LDN-T1-GE3

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

768,00 €

(IVA esclusa)

936,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 3000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,256 €768,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
279-9974
Codice costruttore:
SIS4634LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

1212-8

Serie

SIS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.029Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

19.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg e UIS

Riduce le perdite di potenza legate alla commutazione

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

Link consigliati