MOSFET Nexperia, canale N, 400 mΩ, 850 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 484-5560
Codice costruttore:: BSH103,215
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 400 mΩ, 850 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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125 - 225	0,181 €	4,525 €
250 - 475	0,171 €	4,275 €
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Codice RS:: 484-5560
Codice costruttore:: BSH103,215
Costruttore:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	850 mA
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	400 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	500 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	2,1 nC a 4,5 V
Lunghezza	3mm
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.4mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale N, 400 mΩ, 850 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, fino a 30 V.

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