MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 10 mΩ Miglioramento, 89 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRL3705NPBF
- Codice RS:
- 540-9991
- Codice costruttore:
- IRL3705NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
1,58 €
(IVA esclusa)
1,93 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 111 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 925 unità in spedizione dal 29 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,58 € |
| 10 - 49 | 1,49 € |
| 50 - 99 | 1,47 € |
| 100 - 249 | 1,37 € |
| 250 + | 1,28 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 540-9991
- Codice costruttore:
- IRL3705NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 89A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 10mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 170W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 98nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 9.02mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Larghezza | 4.69 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 89A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 10mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16 V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 170W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 98nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 9.02mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Larghezza 4.69 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 89A, dissipazione di potenza massima 170W - IRL3705NPBF
Questo MOSFET a canale N è stato progettato per applicazioni ad alte prestazioni, garantendo al contempo una maggiore efficienza e affidabilità. Utilizzando l'avanzata tecnologia HEXFET, vanta una minima resistenza di accensione ed è adatto a varie applicazioni di automazione, elettronica ed elettrica. Il dispositivo funziona in un'ampia gamma di temperature, garantendo prestazioni efficaci in ambienti diversi.
Caratteristiche e vantaggi
• Bassa Rds(on) di 10mΩ per una maggiore efficienza
• Funziona in modalità di potenziamento per progetti di circuiti innovativi
• Funzionalità di commutazione rapida per una migliore reattività del sistema
• Completamente classificato per le valanghe, per una maggiore durata in situazioni difficili
Applicazioni
• Adatto ai sistemi di gestione dell'alimentazione industriale
• Ideale per l'azionamento di motori in automazione
• Compatibile con gli alimentatori che richiedono una bassa resistenza termica
• Utilizzato nei convertitori DC-DC per una maggiore efficienza energetica
Qual è la capacità massima di dissipazione di potenza?
La potenza massima dissipata è di 170 W, per una gestione termica efficace in condizioni di carico elevato.
È adatto alle alte temperature?
Questo dispositivo può funzionare in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C, rendendolo adatto a una varietà di scenari ad alta temperatura.
Qual è il significato dell'intervallo di tensione di soglia del gate?
La tensione di soglia del gate varia da 1V a 2V, essenziale per determinare gli stati di accensione e spegnimento con diverse tensioni di pilotaggio del gate.
Quali sono le considerazioni da fare per utilizzarlo in un circuito?
Assicurarsi che la tensione gate-to-source non superi i ±16V per evitare danni e mantenere una funzionalità ottimale.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 10 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 89 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 10 mΩ TO-263, Superficie
- MOSFET Infineon 7 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 4.9 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 60 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 12 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 14 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
