MOSFET Infineon, canale P, 200 mΩ, 14 A, TO-220AB, Su foro
- Codice RS:
- 541-0828
- Codice costruttore:
- IRF9530NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per Unità
0,86 €
(IVA esclusa)
1,05 €
(IVA inclusa)
Verifica stock non disponibile - chiama per informazioni
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,86 € |
| 25 - 49 | 0,81 € |
| 50 - 99 | 0,78 € |
| 100 - 249 | 0,73 € |
| 250 + | 0,68 € |
- Codice RS:
- 541-0828
- Codice costruttore:
- IRF9530NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET di potenza a canale P da 100 V a 150 V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | P |
| Corrente massima continuativa di drain | 14 A |
| Tensione massima drain source | 100 V |
| Serie | HEXFET |
| Tipo di package | TO-220AB |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 200 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 4V |
| Tensione di soglia gate minima | 2V |
| Dissipazione di potenza massima | 79 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Massima temperatura operativa | +175 °C |
| Carica gate tipica @ Vgs | 58 nC a 10 V |
| Materiale del transistor | Si |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Altezza | 8.77mm |
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